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Si6933DQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.045 at V GS = - 10 V
0.085 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
± 3.5
± 2.5
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFETs
RoHS
COMPLIANT
S 1
S 2
TSSOP-8
G 1
G 2
D 1
1
8
D 2
S 1
S 1
G 1
2
3
4
Si6933DQ
7
6
5
S 2
S 2
G 2
Top View
Ordering Information: Si6933DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D 1
P-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 3.5
± 2.8
± 20
- 1.25
1.0
0.64
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R thJA
125
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
Document Number: 70640
S-81056-Rev. D, 12-May-08
www.vishay.com
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